電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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第4回

富士電機(株)
執行役員 電子デバイス事業本部長 柳沢邦昭氏


SiC生産を本格化
津軽で新製品創出を期待

2012/8/10

富士電機(株) 執行役員 電子デバイス事業本部長 柳沢邦昭氏
―― 直近の状況を。
 柳沢 パワー半導体は第1四半期までに在庫調整が終わると考えていたが、調整が想定どおり進まず、第2四半期まで影響が残る見通しだ。リーマンショック後並みの大きなリバウンドも期待できないが、自動車電装向けは年初の計画どおり順調に推移している。



―― 前工程の整備計画をお聞かせください。
 柳沢 7月にルネサス北日本セミコンダクタから買収した津軽工場は、6インチラインでIGBTに加え、パワーMOSFETやパワーダイオードを製造する予定だ。ルネサスとの契約上、今後数年間はルネサスへMCUなどを供給するが、3年後に半分、5年後には7~8割と当社のパワー半導体の生産能力を増やしていく。津軽工場は当社になかった0.25μmプロセスに対応しており、これまでにない新製品を創出できる可能性もある。


(聞き手・本紙編集部)
(以下、本紙2012年8月8日号1面)

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