富士電機（株）（東京都品川区大崎1-11-2、Tel.03-5435-7111）は、産業プラント機器をはじめ燃料電池、EV用急速充電器など新エネルギーや社会インフラ向けのパワーエレクトロニクス機器を手がける大手重電機器メーカーであるが、パワー半導体などの電子デバイス事業にも注力している。同社パワー半導体の研究開発トップである電子デバイス研究所所長、藤平龍彦氏に話を聞いた。

―― 集中するパワー半導体事業の分野と事業戦略について教えてください。
　藤平　インバーター、NC工作機械、エレベーターなどの産業用分野を中心に、HVモーター制御やトランスミッション制御などの自動車分野、パソコンや薄型TVなどの情報・電源分野に注力する。

―― 主力のIGBTの開発戦略は。
　藤平　　新規市場としてエアコンなど家電市場向けの小容量IPMモジュールの新製品も開発している。12年11月から量産を開始する。小容量から大容量までの全方位で攻める。

―― 12年10月にサンプル出荷を開始したSiC-SBDとIGBTのハイブリッドモジュールの実装技術は。
　藤平　　ハイブリッドモジュールは、従来のIGBTモジュール実装技術がベースとなっている。400μmΦのアルミワイヤーで電極接合し、封止はゲル状シリコーン樹脂で行った。