電子デバイス産業新聞(半導体産業新聞)
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セミナー
半導体オブ・ザ・イヤー2014
受賞製品・技術 発表 
      
  第20回(2014年5月14日発表)
■半導体デバイス部門
グランプリ
オムロン㈱
2013年6月28日発表
高低差50cm(分解能5mm)を検知できる絶対圧センサ
優秀賞
ローム㈱
2013年4月2日発表
MOSFETとIGBTの良特性を兼ね備えた新型トランジスタ「Hybrid MOS」
ザイリンクス㈱
2013年11月発表
業界初の20nmプロセスで製造したAll Programmable UltraScaleデバイス
■半導体製造装置部門
グランプリ
東京エレクトロン㈱
2013年7月9日発表
枚葉洗浄装置「CELLESTA™-i MD」
優秀賞
㈱ニコン
2014年2月20日発表
重ね合わせ精度と生産性を向上させたArF液浸スキャナー「NSR-S630D」
キヤノンアネルバ㈱
2013年12月4日発表
STT-MRAM 量産向け MTJ 多層膜成膜装置「NC7900」
■半導体用電子材料部門
グランプリ
昭和電工㈱
2013年9月30日発表
パワー半導体用SiCエピウェハー6インチ品
優秀賞
東レ・ダウコーニング㈱
2013年12月17日発表
車載エレクトロニクス用の高熱伝導性放熱接着剤
エア・ウォーター㈱
2013年5月20日発表
大面積 8 インチ SiC on Si 基板
 今回で第20回を迎える「半導体・オブ・ザ・イヤー2014」は、半導体デバイス部門、半導体製造装置部門、半導体用電子材料部門で選定いたしました。2013年4月~2014年3月の間に新製品(バージョンアップ等を含む)として発表された製品・技術、および本紙で紹介された新製品の中から本紙記者の推薦、自由応募を含めて候補製品・技術を選出し、このほど厳正なる記者投票を行いました。選定にあたっては、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準といたしました。
■ 実施概要
 ■参加対象
 (1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、(3)半導体用電子材料部門
 13年4月~14年3月までの間に発表された製品・技術(バージョンアップなどを含む)


 ■賞
 (1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
 (3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点 および 優秀賞を選出


 ■選考方法:
 半導体産業新聞の記者による投票で受賞者を選定

 ■発表方法:
 2014年5月14日(水)発行の半導体産業新聞紙面にて発表

 ■主催
  半導体産業新聞(産業タイムズ社)
  〒101-0032 東京都千代田岩本町1-10-5 TMMビル3階
  TEL:03-5835-5896 FAX:03-5835-5496
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