GaNパワーデバイスの現状と分極スーパージャンクション技術による高耐圧化
高電圧・横型素子であるGaN-HEMTはフィールドプレート(FP)と導電性Si基板を用いることでゲート近傍の強電界を抑制し600Vまでの素子を実現している。そして、各社から実用化のアナウンスがなされている。しかしながら、強電界の抑制の理想的方法はSiパワー素子で採用されているスーパージャンクション(SJ)方式であろう。GaN/AlGaN/GaN多層膜の分極特性を巧みに利用するとGaN系でもSJを実現できる。分極SJ-FET(PSJ-FET)の動作原理とSi基板上の素子について現状を報告する。