電子デバイス産業新聞(半導体産業新聞)
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セミナー
ここまできた!!SiC/GaNパワーデバイス

  開催日
2013年11月1日(金)講演会12:55~17:20 懇親会17:30~19:00
  会場
横浜ワールドポーターズ6F イベントホールB
  参加費
PDEA会員(無料)
PDEA非会員(5,000円/1名 テキスト代・懇親会実費として)
※参加費は当日現金払いになっています

多数のご参加ありがとうございました。


確か、4~5年前だったと思う。新材料SiCおよびGaNを採用したパワーデバイスの開発は精力的に進められていたものの、量産に向けては様々な障壁が立ちはだかっていました。両材料に共通するウェハの結晶欠陥をはじめ、SiCではゲート周りを中心に、GaNは半導体特性そのものに難点が介在してしました。
しかし昨今、これらの難点が急速に改善されるとともに、アプリケーションに至ってはより拡大の方向にあり、両材料の棲み分けから一転、競合分野も生まれて来るのではないかと推測されています。
そこで、パワーデバイス・イネーブリング協会では、SiCおよびGaNパワーデバイスの量産に向けての進捗状況を焦点に「ここまできた!! SiC/GaNパワーデバイス」を企画しました。ウェハからデバイス、さらには実装まで含め、両新材料のパワーデバイスの完成度を探っていきます。
ぜひ、同セミナーにご参加いただき、貴社の事業戦略構築、ビジネス・チャンス獲得のための要素情報としてお役立てください。
■ プログラム
12:55-13:00
 主催者挨拶
パワーデバイス・イネーブリング協会 事務局長 荒川則雄
13:00-13:40
 品質、大口径化を巡るSiCウェハの現状
SiCデバイスの実用化に伴い、SiCウエハの高品質化・大口径化も近年、急速に進み、かつての最大の課題であったマイクロパイプ欠陥はφ4インチではほぼなくなり、φ6インチウエハの本格的な市場展開が始まった。本公演では、最近のウエハ動向の概要について紹介するとともに、弊社で取り組んでいる超高品質化技術RAF法を用いた大口径ウエハ作製について紹介する。
(株)デンソー 基礎研究所 機能材料研究部
SiCウエハ研究室 室長 廣瀬 富佐雄
13:40-14:20
 SiCパワーデバイスの現状
近年、新たなパワー半導体用材料としてSiCに期待が寄せられている。SiCは、材料物性が優れているだけでなく、デバイス作製に必要なp型、 n型の制御が可能であることなどから、Si限界を超えるパワーデバイスが実現できる。600V~ 1200VのSBDが10年ほど前から量産され、すでに市場に浸透し始めているだけでなく、近年ではMOSFETやそれを使用した100A以上のクラスのパワーモジュールも量産され始め、実際に入手することが可能な次世代パワーデバイスとしてさらにその存在感が高まってきている。
ローム(株) SiCパワーデバイス製造部
(兼任)パワーエレクトロニクス研究開発ユニット
三浦 峰生
14:20-14:30 ブレイク
14:30-15:10
 実装から見たSiCパワーデバイス
SiCデバイスは実用化が進んており、φ6インチの大口径ウエハでの生産も始まろうとしている。しかし実装から見たとき、第1にウエハの大口径化に伴い、チップの薄板化、ダイシングがSiデバイスに比べ、難しくなる。第2に高温動作化に伴い、高放熱構造、パッケージング材料の高耐熱化が課題となる。第3に高速スイッチングに対応するため低寄生インダクタンス化も必要となる。本講演では上記課題の現状と取り組み状況について紹介する。
(株)デンソー 基礎研究所 SiCデバイス研究部 室長 鶴田 和弘
15:10-15:50
 GaNパワーデバイスの現状と分極スーパージャンクション技術による高耐圧化
高電圧・横型素子であるGaN-HEMTはフィールドプレート(FP)と導電性Si基板を用いることでゲート近傍の強電界を抑制し600Vまでの素子を実現している。そして、各社から実用化のアナウンスがなされている。しかしながら、強電界の抑制の理想的方法はSiパワー素子で採用されているスーパージャンクション(SJ)方式であろう。GaN/AlGaN/GaN多層膜の分極特性を巧みに利用するとGaN系でもSJを実現できる。分極SJ-FET(PSJ-FET)の動作原理とSi基板上の素子について現状を報告する。
(株)パウデック 代表取締役社長 河合 弘治
15:50-16:00
 パワーデバイス・イネーブリング協会のご紹介
16:00-16:10 ブレイク
16:10-17:20
 各社の開発状況とアプリケーション展開から見る   ~ Q&Aとディスカッションも含む ~
筑波大学大学院 ビジネス科学研究科
経営システム科学専攻 准教授 立本 博文
17:30-19:00
 懇親会
※講演者、講演タイトルは都合により変更することがありますので、ご了承下さい。
■ セミナー概要
  開催日
2013年11月1日(金)講演会12:55~17:20 懇親会17:30~19:00
  参加費
PDEA会員(無料)
PDEA非会員(5,000円/1名 テキスト代・懇親会実費として)
※参加費は当日現金払いになっています
  会場
横浜ワールドポーターズ6F イベントホールB
  主催
(一社)パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)
  協賛
(株)アドバンテスト
  後援
東京大学VDEC、SIIQ
  特別協力
(株)産業タイムズ社
■問い合わせ先
○パワーデバイス・イネーブリング協会
    事務局TEL:03-3214-7552