電子デバイス産業新聞(半導体産業新聞)
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半導体オブ・ザ・イヤー2012
受賞製品・技術 発表 
      
  第18回(2012年6月6日発表)
■半導体デバイス部門
グランプリ
クアルコム
アプリケーションプロセッサー「Snapdragon S4 Pro」
優秀賞
IDT
ワイヤレス・パワー・トランスミッター「P9030&P9020」
早稲田大学
スーパーハイビジョン用ビデオ復号LSI
■半導体製造装置部門
グランプリ
日立ハイテクノロジーズ
1Xnm世代プロセス開発および22nm世代対応の測長SEM「CG5000」
優秀賞
アルバック
三次元構造デバイス向けシリサイドプロセス用成膜装置
「ENTRON-EX2 W300 CVD-Ni/CVD-Co」
東京エレクトロン
ウエハーボンディング/デボンディング装置「Synapseシリーズ」
■半導体用電子材料部門
グランプリ
日本ガイシ
SAWフィルター用複合ウエハー
優秀賞
新日本製鐵
6インチ口径炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハー
 半導体産業新聞はこのほど、最先端のIT機器・産業を支える半導体製品を表彰する「第18回 半導体・オブ・ザ・イヤー2012」を開催、3部門でグランプリ、優秀賞の計8製品・技術を選定しました。

 第18回を迎えた半導体・オブ・ザ・イヤーは、3部門それぞれに自由応募と本紙記者により対象製品・技術をノミネート。ノミネート数は、半導体デバイス部門117点、半導体製造装置部門48点、半導体用電子材料部門38点となりました。
 それらを、開発の斬新性や社会に与えたインパクト、市場でのシェア・評価、将来性などを基準に選考。厳正なる記者投票により受賞製品・技術を選定いたしました。

 半導体デバイス部門グランプリは、クアルコムのアプリケーションプロセッサー「Snapdragon S4 Pro」が受賞。同社が圧倒的な強さを持つスマートフォン向けではなく、タブレット/ノートPCをメーンターゲットとする同チップが、今後どのような展開を見せてくれるのか、その期待を反映しての評価となりました。

 半導体製造装置部門グランプリは、(株)日立ハイテクノロジーズの1Xnm世代プロセス開発および22nm世代以降の量産に対応した測長SEM「CG5000」が受賞。次世代デバイスの開発・製造現場における必要性、同社の測長SEMが持つ、他の追従を許さない高度な技術が評価されました。  

 半導体用電子材料部門グランプリは、日本ガイシ(株)の「SAWフィルター用複合ウエハー」が受賞。日本メーカーが初めて本格実用化した薄ウエハーの貼り合わせ技術。そのインパクト、同技術が持つ今後の高い将来性が評価されました。
■ 実施概要
 ■参加対象
 (1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、(3)半導体用電子材料部門
 11年4月~12年3月までの間に発表された製品・技術(バージョンアップなどを含む)


 ■賞
 (1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
 (3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点 および 優秀賞を選出


 ■選考方法:
 半導体産業新聞の記者による投票で受賞者を選定

 ■発表方法:
 2012年6月6日(水)発行の半導体産業新聞紙面にて発表

 ■賞
 (1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
 (3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点 および 優秀賞を選出


 ■主催
  半導体産業新聞(産業タイムズ社)
  〒101-0032 東京都千代田岩本町1-10-5 TMMビル3階
  TEL:03-5835-5896 FAX:03-5835-5496
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