化合物半導体は、2種類以上の元素が結合してできた半導体です。半導体チップの多くは単元素のシリコン(Si)をベースに製造されますが、GaAs(ガリウムひ素)やGaN(窒化ガリウム)、SiC(シリコンカーバイド)、InP(インジウムリン)といった化合物半導体は、Siでは実現できない発光、高周波、高電圧といった特性を発現でき、パワーデバイスや光デバイスとして多様な用途に採用され、その市場規模も拡大基調にあります。なかでも今後は、Siと光デバイスを統合した「光電融合」技術が実用化され、AI、データセンター、次世代高速通信といった先端分野の進化に大きく貢献すると期待されています。本セミナーは、そうした化合物半導体の世界について、その種類や用途を初心者にも分かりやすく解説し、理解を深めていただくことを目的といたします。技術がご専門でないビジネスマン、ビジネスウーマンの皆様方のご参加をお待ち申しております。
第1部:化合物半導体の種類を知ろう!(約80分)
そもそも化合物半導体とは何か?
GaAs(ガリウムひ素)/GaN(窒化ガリウム)/SiC(シリコンカーバイド)のウエハー動向
エピタキシャル成長やエピファンドリーとは?
ダイヤモンドや酸化ガリウムをはじめとする期待の化合物半導体新材料
第2部:化合物半導体デバイスの市場動向(約90分)
レーザーダイオード(LD)や発光ダイオード(LED)といった発光デバイスの市場動向
SiCパワー半導体の市場動向
GaNパワー半導体の市場動向
講師:㈱産業タイムズ社 電子デバイス産業新聞 特別編集委員 津村 明宏