第31回 半導体・オブ・ザ・イヤー2025 by 電子デバイス産業新聞（旧半導体産業新聞）

　電子デバイス産業新聞は最新のエレクトロニクス製品の開発において最も貢献した製品を称えるため「半導体・オブ・ザ・イヤー」を選定しており、本年が第31回の開催となります。本年は、①半導体デバイス、②半導体製造装置、③半導体用電子材料の3部門でグランプリ1点、優秀賞2点の最大計9点を選定する予定です。

■ 開催概要

　■対象製品：
　　2024年4月～2025年3月までに新製品（バージョンアップ等を含む）として発表された製品・技術

　■選考方法：

電子デバイス産業新聞の記者によるノミネートを中心とし、記者投票で受賞者を選定します。自薦・他薦も受け付け、記者投票の対象といたします。所定の応募用紙に必要事項を記入のうえ、申し込み締切日4月11日（金）までにご応募下さい。
受賞者には4月下旬までに当社よりご連絡差し上げます。

　■発表方法：
　　5月22日(木)または5月29日(木)発行の電子デバイス産業新聞紙面にて発表予定

　■授賞式： 　

2025年6月4日（水）午後（予定）
電子回路業界で世界最大級の展示会「電子機器トータルソリューション展2025（JPCA Show 2025など）」が開催中の東京ビッグサイト会場内

　■ご参考：
　　　前回開催（第30回　半導体・オブ・ザ・イヤー2024）の受賞者・受賞製品

■半導体デバイス部門
グランプリ	NVIDIA	NVIDIA Blackwell プラットフォーム
優秀賞	Power Diamond Systems	ダイヤモンド半導体における世界最高ドレイン電流を実現したMOSFETの開発
優秀賞	東北大学	STT-MRAM素子の極限微細化技術
■半導体製造装置部門
グランプリ	TOWA	生成AI向け半導体の生産に最適なモールディング装置「YPM1250-EPQ」
優秀賞	レーザーテック	アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置「ACTIS A300」シリーズ
優秀賞	横浜国立大学、ディスコ、東レエンジニアリング	新たなチップ集積手法によるDie-to-Wafer ハイブリッド接合技術の開発
■半導体用電子材料部門
グランプリ	旭化成、Crystal IS	4インチ窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板
優秀賞	DIC	環境配慮型の高性能PFASフリー界面活性剤「MEGAFACE EFSシリーズ」を開発
優秀賞	TOPPAN	次世代半導体向けコアレス有機インターポーザー

　■応募用紙：

　　　 word