受賞製品・技術 発表
授賞式開催
2024年6月12日(水)
東京ビッグサイト 東4ホール セミナー会場G
（電子機器トータルソリューション展内）
第30回（2024年5月30日発表）
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■半導体デバイス部門 |
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グランプリ |
NVIDIA
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NVIDIA Blackwell プラットフォーム
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優秀賞 |
Power Diamond Systems
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ダイヤモンド半導体における世界最高ドレイン電流を実現したMOSFETの開発
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優秀賞 |
東北大学
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STT-MRAM素子の極限微細化技術
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■半導体製造装置部門
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グランプリ |
TOWA
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生成AI向け半導体の生産に最適なモールディング装置「YPM1250-EPQ」
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優秀賞 |
レーザーテック
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アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置「ACTIS A300」シリーズ
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優秀賞 |
横浜国立大学、ディスコ、東レエンジニアリング
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新たなチップ集積手法によるDie-to-Wafer ハイブリッド接合技術の開発
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■半導体用電子材料部門 |
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グランプリ |
旭化成、Crystal IS
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4インチ窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板
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優秀賞 |
DIC
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環境配慮型の高性能PFASフリー界面活性剤「MEGAFACE EFSシリーズ」を開発
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優秀賞 |
TOPPAN
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次世代半導体向けコアレス有機インターポーザー
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今回で記念すべき第30回を迎える「半導体・オブ・ザ・イヤー2024」は、半導体デバイス部門、半導体製造装置部門、半導体用電子材料部門で選定いたしました。
2023年4月～2024年3月の間に新製品（バージョンアップ等を含む）として発表された製品・技術、および本紙で紹介された新製品の中から本紙記者の推薦、自由応募を含めて候補製品・技術を選出し、このほど厳正なる記者投票を行いました。選定にあたっては、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準といたしました。
■参加対象：
(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、(3)半導体用電子材料部門
2023年4月～2024年3月までの間に発表された製品・技術（バージョンアップなどを含む）
■賞：
(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
(3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点 および 優秀賞を選出
■選考方法：
電子デバイス産業新聞の記者による投票で受賞者を選定
■発表方法：
2024年5月30日（木）発行の電子デバイス産業新聞紙面にて発表
■主催：
電子デバイス産業新聞（産業タイムズ社）
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