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「SiCとGaN」半導体ビジネス最前線
~次世代候補から主役へ浮上、本格量産フェーズに~
日時
2024年1月23日(火)10:00~16:30
開催方法
Web会議ソフト「Zoom」を使用してのオンライン配信
配信会場
東京・富士ソフトアキバプラザ
主催
電子デバイス産業新聞
参加費
33,000円(税込)/1名(資料ダウンロードあり)
申込締切
2024年1月22日(月)
多数のお申込みありがとうございました。
SiC(シリコンカーバイド)は長らく、次世代のパワー半導体材料候補として期待されており、関連各社および大学・研究機関などに研究開発が行われてきました。これまではウエハーコストなどがネックとなり、大きな市場拡大に至ってはいませんでした。しかし、足元では大口径化や加工技術の見直しが進むと同時に、xEVを筆頭にSiCの特性を最大限に活かせるアプリケーションが台頭してきたことで一気に市場拡大に向けた機運が高まっています。同様にGaNも高周波特性を活かして、xEV市場での採用が見込まれているほか、電源用途での市場拡大が期待されています。
こうした市場変化を受けて、現在関連各社では積極的な事業計画が数多く打ち出されており大きな注目を集めています。SiCは日欧米に加えて中国も工場の新設投資を進めているほか、さらなるコスト低減に向けた新技術・ソリューションも各社から提案されています。GaNは海外勢を中心に現在市場拡大が進められていますが、日系企業も本格参入・事業化を表明するところが出てきており、虎視眈々と事業機会を探っています。
本セミナーは午前の部をSiC、午後の部をGaNの2部構成としデバイス・装置・材料の各分野からビジネスの最前線を探っていきます。ぜひ事業計画の立案や産業動向の調査、マーケティングの絶好の機会としてご活用ください。
■ 【プログラム】
【SiC】
10:00~10:45
SiCパワー半導体の最新動向
電子デバイス産業新聞 編集長 稲葉 雅巳
10:45~11:30
SiCパワー半導体のファンドリー戦略
フェニテックセミコンダクター㈱ SiCプロジェクト 次長 瀬崎 洋 氏
11:30~12:15
SiC加工品質向上と分析技術
六甲電子㈱ 技術部(量産加工開発 2課) 松本 修治 氏
12:15~13:15 休憩
【GaN】
13:15~14:00
GaNパワー半導体の最新動向
電子デバイス産業新聞 特別編集委員 津村 明宏
14:00~14:45
GaNパワー半導体の開発・事業化状況(仮)
トランスフォーム・ジャパン㈱ ゼネラルマネージャー代理 細田 勉 氏
14:45~15:00 休憩
15:00~15:45
GaNウエハーの開発・事業化状況(仮)
三菱ケミカル(株) スペシャリティマテリアルズビジネスグループ
インフォーメーション& エレクトロニクス本部
グローバルGaNプロジェクト長 藤戸 健史 氏
15:45~16:30
GaNパワー半導体向けMOCVDの最新動向(仮)
大陽日酸㈱ イノベーションユニット CSE事業部 技術部長 小関修一 氏
※講演タイトル、講演者は都合により変更する場合があります。予めご了承下さい。
◆ 当日のご参加方法
Web会議ソフト「Zoom」にてオンラインでセミナーをご視聴いただきます。(ブラウザーでもご視聴いただけますが、Zoomアプリのインストールを推奨します)セミナーへのご質問はZoomを通じてお受けいたします。(すべてのご質問にご回答はできませんのでご了承ください)詳しいご参加方法につきましては、1/19(金)(予定)にメールにてご案内させていただきます。
※セミナーへの御参加はお申込をされたご本人様のみとなります。複数名での視聴はご遠慮ください。また参加URLの拡散は固くお断り申し上げます。
■ お申込み後の流れ
申込み確認次第、参加証・請求書をご郵送させて頂きます。
お支払いは、請求書がお手元に届いてからのお手続きで問題ございません。
■ キャンセルについて
キャンセルにつきましては、2024年1月19日(金)より100%のキャンセル料を申し受けます。ご視聴されない場合も、ご連絡がない場合にはキャンセル料が発生しますのでご注意ください。
開催2日前(弊社営業日換算)以降の参加者様の変更につきましてはキャンセル料が発生いたします。
■問い合わせ先
○ 産業タイムズ社 事業開発部
TEL:03-5835-5894 FAX:03-5835-5497
Email:
pd@sangyo-times.co.jp
現在弊社ではリモートワークを導入しております。
ご不便をおかけいたしますが、お問い合わせにつきましては、なるべくメールでのご連絡をお願いいたします。