産業タイムズ社
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セミナー
ビギナーのための
『パワー半導体』入門

  開催日
2023年5月22日(月) 10:00~18:00 
  開催方法
ハイブリッドセミナー(会場、オンライン)
  会場
東京・富士ソフトアキバプラザ 6階セミナールーム1(会場参加の場合)
(千代田区神田練塀町3 富士ソフト秋葉原ビル)
  主催
電子デバイス産業新聞
  参加費
33,000円(税込)/1名(資料ダウンロードあり)
※会場参加コース、オンライン参加コースどちらも同額です。
※お食事・お飲み物のご用意はございません
  申込締切
2023年5月19日(金)
※定員に達し次第お申し込みを締め切らせていただきます。

多数のお申込みありがとうございました。


★プログラムを読まれる前に
 
●パワー半導体とは
ダイオードやIGBTなど、パワーエレクトロニクス(略してパワエレと言います)用途のデバイス単体を示します
ダイオード:電流を一定方向にのみ流す役割(整流と言います)を担う半導体素子と覚えてください
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor/絶縁ゲートバイポーラトランジスタ): 高速のスイッチング動作により、(電子機器の駆動に最適な)交流を作り出す半導体素子と覚えてください
用途に合わせ、最適な交流を自在に作り出すことができます
●パワーデバイスとは
一つのパッケージ内に、ダイオードやIGBTを組み込み、必要な機能が得られるようモジュール化したものを示します
●コンバータ/インバータシステムとは
交流→コンバータ→直流→インバータ

①発電所から一般家庭に送られてくる電気は交流です。
 このままの交流では、家庭内の電子機器の駆動に最適な状態ではありません。
 交流:電流がプラスにもマイナスにも振られていると覚えてください。

②そこで、ダイオードなどを使って、いったん交流を一定方向にのみ流れる直流にします。
 交流から直流に変換するセット機器を、コンバータと言います。

③そして、IGBTにより、改めて家庭内の電子機器の駆動に最適な交流に変換します
 直流から交流に変換するセット機器を、インバータと言います


これが「パワー半導体」を組み込んだ、「パワーデバイス」の意味と役割です

今回のセミナーでは、「パワー半導体」を核に、現状の確認と新材料(SiCとGaN)を含む今後の方向性を主テーマに据えプログラムを構成しました。難しい理論や原理は二の次、三の次の位置付けで、講演内容には組み込んでいません。このため、同分野をご専門に研究・開発されているエンジニアの方々には不向きなセミナーになっています。すべては「顧客とのコミュニケーションを円滑に行うため」、これが同セミナーの最大の目標です。
技術がご専門でないビジネスマン、ビジネスウーマンの皆様方のご参加をお待ち申しております。


 
本セミナーには会場参加・オンライン参加の2通りのご参加方法がございます。下記は共通のご案内となります。
●講演資料は事前にダウンロードをお願いいたします。(一部投影のみの資料がございますのでご了承ください。)
●講演資料のダウンロード方法につきましては5/18(木)(予定)にメールにてご案内させていただきます
<会場参加コース>
会場に実際にお越しいただき、ご参加いただきます。印刷物での講演資料のご提供はありません。必要な方は事前に指定URLより講演資料を印刷の上ご持参ください。

<オンライン参加コース>
Web会議ソフト「Zoom」にてオンラインでセミナーをご視聴いただきます。(ブラウザーでもご視聴いただけますが、Zoomアプリのインストールを推奨します)セミナーへのご質問はZoomを通じてお受けいたします。(すべてのご質問にご回答はできませんのでご了承ください)
詳しいご参加方法につきましては、5/18(木)(予定)にメールにてご案内させていただきます
※セミナーへの御参加はお申込をされたご本人様のみとなります。複数名での視聴はご遠慮ください。また参加URLの拡散は固くお断り申し上げます。
■ プログラム
10:00-12:00
第1部 ようこそ「パワー半導体」の世界へ
1.パワーエレクトロニクス技術とはなにか
2.パワー半導体を使うと、なぜ省エネになるのか
3.パワー半導体の仕事とは
4.どんな用途に何が使われているのか
5.パワー半導体に要求される特性とは何か
6.パワー半導体のマーケット動向と今後の展望
7.パワー半導体の誕生と進化の歩み
12:00~13:00 休憩 
13:00-14:40
第2部 パワー半導体の製造プロセスとモジュール化
1.パワー半導体の製造プロセスと装置
2.パワー半導体をモジュール化パワーデバイスへ
3.パワー半導体の品質・信頼性について
14:40~14:50 休憩  
14:50~15:30
第3部 Si系パワー半導体の限界と今後の進化の方向性
1.Si-MOSFET, SJ-MOSFETの展望
2.Si-IGBTの展望
15:30~15:40 休憩 
15:40~18:00(※休憩含む)
第4部 新材料SiC、GaN登場と今後の展望
1.MOSFETかIGBTか
2.なぜSiCが注目されているのか
3.SiCパワーデバイスの開発(最近のトピックスから)
4.SiCモジュールの課題
5.なぜGaNが注目されているのか
6.GaNパワーデバイスの開発(最近のトピックスから)
第5部 最近話題の酸化ガリウム、ダイヤモンドについて
第6部 高温実装技術
講師:国立大学法人筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸 
※講演タイトルは、都合により変更することがありますので、ご了承ください。
■ お申込み後の流れ
  申込み確認次第、参加証・請求書をご郵送させて頂きます。
  お支払いは、請求書がお手元に届いてからのお手続きで問題ございません。
■ キャンセルについて
●キャンセルつきましては、2023年5月18日(木)より100%のキャンセル料を申し受けます。ご視聴されない場合も、ご連絡がない場合にはキャンセル料が発生しますのでご注意ください
●開催2日前(弊社営業日換算)以降の参加者様の変更につきましてはキャンセル料が発生いたします。
■問い合わせ先
○ 産業タイムズ社 事業開発部
    TEL:03-5835-5894 FAX:03-5835-5497
    Email:pd@sangyo-times.co.jp
新型コロナウイルス感染症対策として、現在弊社ではリモートワークを導入しております。
ご不便をおかけいたしますが、お問い合わせにつきましては、なるべくメールでのご連絡をお願いいたします。