ビギナーのための
『パワー半導体』入門
開催日
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2021年6月4日(金) 10：00～18：00 受付9：30～ |
会場
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東京・富士ソフトアキバプラザ６F セミナールーム１（会場参加の場合）
（会場にてご聴講いただくコースと、Zoomによるライブ配信にてご聴講いただくコースの
2通りを選択いただけます） |
参加費
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33,000円（税込）／1名（資料ダウンロードあり）
※会場参加コース（J115）、ライブ配信視聴コース（J116）どちらも同額です。
※お食事・お飲み物のご用意はございません
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主催
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電子デバイス産業新聞 |
申込締切
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2021年6月3日（木）
※定員に達し次第お申し込みを締め切らせていただきます。 |
多数のお申込みありがとうございました。
★プログラムを読まれる前に
●パワー半導体とは
ダイオードやＩＧＢＴなど、パワーエレクトロニクス（略してパワエレと言います）用途のデバイス単体を示します
ダイオード：電流を一定方向にのみ流す役割（整流と言います）を担う半導体素子と覚えてください
ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor／絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）： 高速のスイッチング動作により、（電子機器の駆動に最適な）交流を作り出す半導体素子と覚えてください
用途に合わせ、最適な交流を自在に作り出すことができます
●パワーデバイスとは
一つのパッケージ内に、ダイオードやＩＧＢＴを組み込み、必要な機能が得られるようモジュール化したものを示します
●コンバータ／インバータシステムとは
①発電所から一般家庭に送られてくる電気は交流です。
このままの交流では､家庭内の電子機器の駆動に最適な状態ではありません。
交流：電流がプラスにもマイナスにも振られていると覚えてください。
②そこで、ダイオードなどを使って、いったん交流を一定方向にのみ流れる直流にします。
交流から直流に変換するセット機器を、コンバータと言います。
③そして、ＩＧＢＴにより、改めて家庭内の電子機器の駆動に最適な交流に変換します
直流から交流に変換するセット機器を、インバータと言います
これが「パワー半導体」を組み込んだ、「パワーデバイス」の意味と役割です
今回のセミナーでは､「パワー半導体」を核に、現状の確認と新材料（ＳｉＣとＧａＮ）を含む今後の方向性を主テーマに据えプログラムを構成しました。難しい理論や原理は二の次、三の次の位置付けで､講演内容には組み込んでいません。このため、同分野をご専門に研究・開発されているエンジニアの方々には不向きなセミナーになっています。すべては「顧客とのコミュニケーションを円滑に行うため」、これが同セミナーの最大の目標です。
技術がご専門でないビジネスマン、ビジネスウーマンの皆様方のご参加をお待ち申しております。
本セミナーには会場参加・ライブ配信視聴参加の２通りのご参加方法がございます。下記は共通のご案内となります。
●講演資料は事前にダウンロードをお願いいたします。（一部投影のみの資料がございますのでご了承ください。）
●講演資料のダウンロード方法につきましては6/2（水）（予定）にメールにてご案内させていただきます
＜会場参加コース＞
会場に実際にお越しいただき、ご参加いただきます。印刷物での講演資料のご提供はありません。必要な方は事前に指定URLより講演資料を印刷の上ご持参ください。
＜ライブ配信視聴コース＞
Web会議ソフト「Zoom」にてオンラインでセミナーをご視聴いただきます。（ブラウザーでもご視聴いただけますが、Zoomアプリのインストールを推奨します）セミナーへのご質問はZoomを通じてお受けいたします。（すべてのご質問にご回答はできませんのでご了承ください）
詳しいご参加方法につきましては、6/2（水）（予定）にメールにてご案内させていただきます
※ご参加はお申込みのご本人様のみとなりますので、複数人でのご視聴はご遠慮ください。
第1部 ようこそ「パワー半導体」の世界へ
１．パワーエレクトロニクス技術とはなにか
２．パワー半導体を使うと、なぜ省エネになるのか
３．パワー半導体の仕事とは
４．どんな用途に何が使われているのか
５．パワー半導体に要求される特性とは何か
６．パワー半導体のマーケット動向と今後の展望
７．パワー半導体の誕生と進化の歩み
第２部 パワー半導体の製造プロセスとモジュール化
１．パワー半導体の製造プロセスと装置
２．パワー半導体をモジュール化パワーデバイスへ
３．パワー半導体の品質・信頼性について
第３部 Ｓｉ系パワー半導体の限界と今後の進化の方向性
１．Ｓｉ-ＭＯＳＦＥＴ, ＳＪ-ＭＯＳＦＥＴの展望
２．Ｓｉ-ＩＧＢＴの展望
第４部 新材料ＳｉＣ、ＧａＮ登場と今後の展望
１．ＭＯＳＦＥＴかＩＧＢＴか
２．なぜＳｉＣが注目されているのか
３．ＳｉＣパワーデバイスの開発（最近のトピックスから）
４．ＳｉＣモジュールの課題
５．なぜＧａＮが注目されているのか
６．ＧａＮパワーデバイスの開発（最近のトピックスから）
第５部 最近話題の酸化ガリウム、ダイヤモンドについて
第６部 高温実装技術
講師：国立大学法人筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸
※講演タイトルは、都合により変更することがあります。あらかじめご了承ください。
※本セミナーは2020年11月30日（月）開催のビギナーのための「パワー半導体」入門の再演です。
■ 新型コロナウイルス感染予防対策につきまして（会場参加コースの皆様へ）
開催にあたりましては、消毒液の常備、スタッフのマスク着用、受付および演台への飛沫感染防止のためのビニールシートの設置等、感染を防ぐため万全の対応をいたす所存です。
また座席については、密接しないよう、間隔をあけてお掛けいただくようにいたします。
また、ご参加の皆様におかれましても、セミナー時間中のマスクご着用、手洗いや消毒液のご使用など、ご協力をお願い申し上げますと同時に、風邪の諸症状がおありの場合は参加をお控えいただきますよう、重ねてお願い申し上げます。
（ご入室時に受付で検温へのご協力をお願いいたします。37.5度以上の場合、ご入場をお断りすることもございます。）
また当日は間近での会話を避けるため、講師への質問はセミナー時間内にお席にてお願いいたします。
申込み確認次第、参加証・請求書をご郵送させて頂きます。
お支払いは、請求書がお手元に届いてからのお手続きで問題ございません。
6/2（水）より100%のキャンセル料を申し受けます。ご視聴・ご来場されない場合も、ご連絡がない場合にはキャンセル料が発生しますのでご注意ください。
○ 産業タイムズ社 事業開発部
TEL:03-5835-5894 FAX:03-5835-5495
Email:
pd@sangyo-times.co.jp
新型コロナウイルス感染症対策として、現在弊社ではリモートワークを導入しております。
ご不便をおかけいたしますが、お問い合わせにつきましては、なるべくメールでのご連絡をお願いいたします。