9:30~10:40(70分)
        
        
        
            
                CMOSロジックに見るトランジスタ構造と役割り
				
				  ―― 四つの言葉でトランジスタ構造を攻略しましょう ――
				
            
         
		
		
            10:40~12:00(80分)
        
        
        
            
                主要デバイスのトランジスタ動作をもう少し詳しく
				
				  ―― ロジックとメモリ(DRAM、フラッシュ)について ――
				
            
         
		
            
				エスアンドエスセミコン(元㈱日立製作所 半導体事業部) 川本 洋
            
         
        
	 
	
        
            13:00~15:00(120分)
        
        
        
            
				<半導体製造プロセス>
                 半導体製造プロセスは、なんのためにあるのでしょうか
				
				     ―― なぜウェハを大口径化し、なぜ高額な装置を導入するのか ――
				
            
         
        
		
            
				<Si(シリコン)ウェハ>
                 半導体を作り込む「シリコン・ウェハ基板」
				
				     ―― なぜSi/円形/大口径化など、ウェハの役割り ――
				
            
         
		
            
				<洗浄>
                 半導体製造の大敵:ゴミを徹底的に排除する
				
				     ―― ウェハにゴミが付着するとどうなる ――
				
            
         
		
            
				<成膜>
                 導電膜や絶縁膜などをウェハ全面に形成する
				
				     1.熱を利用して酸化膜(SiO2膜)を形成する
				       ―― 大量に処理するバッチ式とウェハ一枚づつ処理する枚葉式 ――
				     2.熱やプラズマによるガス反応を利用して成膜するCVD(Chemical Vapor Deposition)
				     3.金属の塊が砕け、飛び散って付着するスパッタリング(PVD:Physical Vapor Deposition)
				     4.多層配線工程で使用するCu(銅)電解めっき
				
            
         
		
            
				<リソグラフィ(露光)>
                 (エッチングで)加工したくない領域をレジストでブロックする「パターニング」
				
				     ―― リソの仕組みと役割・様々な手法/マスク・レジスト・現像・アッシングも踏まえて ――
				
            
         
		
            
				<エッチング>
                 レジストでブロックされていない領域を削り取り、ウェハ全面に形成した膜を様々な形状に加工
            
         
		
            
				<イオン注入・熱処理>
                 ヒ素やリン、ボロンの不純物を注入し活性化する「 イオン注入・アニール工程 」
				
				     1.シリコン・ウェハに特定の電気特性を持たせる
				     2.半導体素子(トランジスタ)の性格付けを行う(n型、p型)
				
            
         
		
            
				<平坦化>
                 リソグラフィ(露光)のために、成膜後の表面は常に凹凸なしにする
				
				     ―― CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学機械研磨) ――
				        凹凸のある形成膜の表面を、Chemical(化学研磨剤)やパッドなどを使って、Mechanical(機械的に)Polishing(削って)平坦化
				
            
         
		
            
				<半導体ファブ(工場)>
                 半導体ファブ内の装置レイアウトは
				
				     ―― 装置配列はプロセス順ではなく、ベイという考え方 ――
				
            
         
        
            
				第2部担当:エスアンドエスセミコン(元㈱日立製作所 半導体事業部) 川本 洋
            
         
     
	
	
        
            15:10~18:00(170分)
        
        
        
            
				PartⅠ
                 ウェハ前処理工程Ⅰ『 フロントエンド・プロセス 』
    CMOSロジックのトランジスタが形成されるまで
				
				     ―― 主要6ブロックを紙芝居で見る ――
				       素子分離、ウェル形成、ゲート形成、サイドウォールとソース/ドレイン形成、シリサイド化、Wプラグ形成の6工程
				
            
         
        
            
				PartⅡ
                 ウェハ前処理工程Ⅱ『 バックエンド・プロセス  』
    CMOSロジックの多層配線が形成されるまで
				
				     ―― Al多層配線とCu多層配線 ――
				       加工してから埋め込むAl配線と埋め込んでから加工するCu/low-k配線
				
            
         
		
        
            
				PartⅢ
                 後工程『 パッケージング・プロセス 』
    出来上がったLSIをパッケージする
				
				     ―― パッケージングの役割りと組立工程、そして出荷へ ――
				
            
         
        
	 
	
	
        
            9:30~10:30(60分)
        
        
        
            
				『  半導体とは?  』どんな電子デバイス
                 ―― その種類と製造プロセス、そしてその機能は? ――
            
         
		
		
            
				
					㈱産業タイムズ社 特別顧問(元(株)東芝) 加藤 一
				
            
         
	 
	
		
            10:30~12:00(90分)
        
        
        
            
				『 トランジスタ 』はどのようにして作る(前工程:フロントエンド・プロセス)
                 ―― 90~65nmノード対応のトランジスタ形成、 そのプロセス技術と必要な装置・材料 ――
            
         
		
		
            
				
					ルネサスエレクトロニクス(株) 生産本部 デバイス開発統括部 MCUデバイス開発部 齋藤 賢治
				
            
         
     
	
	
        
            13:00~14:30(90分)
        
        
        
            
				『  多 層 配 線  』はどのようにして作る(前工程:バックエンド・プロセス)
                 ―― Al多層配線とCu/low-k多層配線 そのプロセス技術と必要な装置・材料 ――
            
         
		
				
		
            
				
					ルネサスエレクトロニクス(株) 生産本部
					デバイス開発統括部 技術企画部 藤澤 雅彦
				
            
         
     
	
        
            14:40~15:30(50分)
        
        
        
            
				『  パッケージ  』はどのようにして作る(後工程:パッケージング・プロセス)
                 ―― パッケージング・プロセスと必要な装置・材料 ――
            
         
		
            
				
					IPTC(Integrated Packaging Technology Consult) 代表 小林 治文
				
            
         
     
	
        
            15:40~16:30(50分)
        
        
        
            
				半導体デバイスの進化を担うWLCSP、FOWLP、TSV等の最新パッケージング技術
                 ―― さらなる高集積化・高機能化・高性能化を確保するためにパッケージ形態が変貌する ――
            
         
		
            
				
					IPTC(Integrated Packaging Technology Consult) 代表 小林 治文
				
            
         
     
	
    	
			※講演タイトル、講演者は都合により変更することがありますので、ご了承ください。
			※本セミナーは2019年6月17日(月)、18日(火)に開催しました「ビギナー半導体/春講座」の再演です。
		
	 
	
	
    	  開催にあたりましては、消毒液の常備、スタッフのマスク着用、受付および演台への飛沫感染防止のためのビニールシートの設置等、感染を防ぐため万全の対応をいたす所存です。
		  また座席については、密接しないよう、間隔をあけてお掛けいただくようにいたします。(下記の座席表をご確認ください)
		
		
		  また、ご参加の皆様におかれましても、セミナー時間中のマスクご着用、手洗いや消毒液のご使用など、ご協力をお願い申し上げますと同時に、風邪の諸症状がおありの場合は参加をお控えいただきますよう、重ねてお願い申し上げます。
		  (ご入室時に受付で検温へのご協力をお願いいたします。37.5度以上の場合、ご入場をお断りすることもございます。)
		  また当日は間近での会話を避けるため、講師への質問はセミナー時間内にお席にてお願いいたします。
	
        ○ 産業タイムズ社 事業開発部
   			FAX:03-5835-5495 TEL:03-5835-5894
   			Email:
pd@sangyo-times.co.jp