【パネルディスカッション】
「SiCデバイス量産に向けた展望」
《主な議題》
〇SiCデバイスの最大の課題はコスト、どこまで下げれば自動車など既存のシリコンデバイスユーザーはSiCに乗り換えるか
〇画期的技術であるガス成長法やレーザードーピング法をいかに量産で使いこなすか
〇日本のパワエレはガラパー? 迫る危機“前門のインフィニオン、後門の中国"にいかに対抗していくか
モデレーター:千葉工業大学 工学部 電気電子情報工学科 教授 山本 秀和
パネラー:一般財団法人電力中央研究所 土田 秀一
九州大学大学院 浅野 種正
ローム㈱ 浅原 浩和