【PR】「SiCパワーデバイス適用アプリを探る」 by 産業タイムズ社

「SiCパワーデバイス適用アプリを探る」

～　加速器応用に見るがん先端医療分野への展開　～

開催日	2015年12月2日（水）13：00～18：50
会場	東京・品川フロントビル
参加費	10,000円+消費税／1名（テキスト代、名刺交換会費含む）
定員	100名
主催	（一社）パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛	（株）アドバンテスト
特別協力	（株）産業タイムズ社
後援	東京大学VDEC

申込受付終了いたしました。多数のご参加ありがとうございました。

　ワイドバンドギャップ半導体であるSiCパワーデバイス(MOSFET)の実用化が近づいてきています。JR東海による700系東海道新幹線による実証実験を皮切りに、2020年にはいよいよ車載用途への道が切り開かれようとしています。それだけではありません。その卓越したスイッチング特性から、加速器への応用展開も注目を集め、放射線によるがん治療に期待が掛かっています。そこで、今回のPDEAセミナーは「SiCパワーデバイス適用アプリを探る～加速器応用に見るがん先端医療分野への展開～」と題し、講演とパネルディスカッションで構成しました。SiCパワーデバイスの新たなアプリ展開を前提に、今後の進化の方向性を探っていきます。ぜひ、同セミナーにご参加いただき、御社ビジネス戦略構築のための要素情報としてお役立てください。

■ プログラム

13:00-13:50

　重粒子線がん治療～身体への負担が低く、がん細胞をピンポイントで狙い撃ち(仮題)

放射線医学総合研究所　重粒子線医科学センター
物理工学部　部長　野田　耕司氏

13:50-14:40

　SiC-MOSFET搭載「高電圧半導体スイッチ」～　加速器の超小型化を可能にする　～

福島SiC応用技研（株）代表取締役社長古久保　雄二氏

14:40-14:50

　PDEAの紹介と半導体テスト技術者検定のご案内

パワーデバイス・イネーブリング協会　江越　広弥氏

14:50-15:00　ブレイク

15:00-15:50

　宇宙から飛来する放射線によるパワーデバイスの信頼性への影響と対策
　　～パワーデバイスのバーンアウト現象～

HIREC　技術部　第2グループ　副主席技師　浅井　弘彰氏

15:50-16:00　ブレイク

16:00-17:30／パネルディスカッション

　SiCパワーデバイスの適用アプリとしての医療機器への展開について

司　　会：山本　秀和氏（千葉工業大学　工学部　電気電子情報工学科　教授）
パネラー：放射線医学総合研究所　重粒子線医科学センター　物理工学部　部長　野田　耕司氏

福島SiC応用技研（株）　代表取締役社長　古久保　雄二氏
HIREC 技術部　第2グループ　副主席技師　浅井　弘彰氏

17:40-18:50

　名刺交換会

※講演タイトル・講演者は、都合により変更することがあります。予めご了承ください。

■ セミナー概要

開催日	2015年12月2日（水）13：00～18：50
会場	東京・品川フロントビル
参加費	10,000円+消費税／1名（テキスト代、名刺交換会費含む）
定員	100名
主催	（一社）パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛	（株）アドバンテスト
特別協力	（株）産業タイムズ社
後援	東京大学VDEC

■問い合わせ先

○　パワーデバイス・イネーブリング協会

　　　事務局　TEL:03-3214-7552
　　　