電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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2026/11/5(2726号)主なヘッドライン
中国パワー半導体、二極化傾向が顕著に
200mm SiCなどに商機、Siは調整、150mm SiCも

CRRCの200mm SiCパワー半導体(PCIM展示会の同社ブースで撮影)
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 2026年の中国のパワー半導体産業はEV(電気自動車)の800V化や太陽光発電とセットとなる蓄電設備、急速充電、AIデータセンター向け電源を軸に回復局面へ入りつつある。ただし、150mm SiCウエハーや汎用IGBTでは供給過剰と価格競争が続いており、200mm SiCや高耐圧・高信頼性の車載品、AIサーバー向け高効率電源などに資金と受注が集中している。二極化が進む中国のパワー半導体産業の現在地を探った。
(以下、本紙2026年11月5日号1面)




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オモビオ・ジャパン(株) アーキテクチャー&ネットワークソリューション プロダクトR&D(HPC)マネジャー 高木一英氏
(株)AZNICS 代表取締役CEO 古澤利成氏
宇宙航空研究開発機構(JAXA) 研究開発部門 第一研究ユニット(電子部品技術領域) 研究開発上席 新藤浩之氏
(株)指月電機製作所 代表執行役社長 稲垣裕一氏
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