ALD材料＆装置、先端半導体工程で中核担う
次世代材料の提案相次ぐ、半導体以外の用途も模索
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先端半導体のプロセスにおいて、極薄の膜を均一に成膜できるALD（原子層堆積）が注目されている。ALDは半世紀以上前に開発された技術で、当初はディスプレー分野など一部の利用にとどまっていたが、2000年代に入り、トランジスタのゲート絶縁膜（高誘電材料）の形成に利用されたことで一気に脚光を浴びた。現在は3D-NANDの側壁ライナーやDRAMのキャパシタ誘電体などにも利用されているが、2nm世代以降の最先端ロジックや多層化が進む3D-NAND、さらには次世代DRAMでは製造プロセスの中核的な存在を担いつつある。材料・装置メーカーもALDプロセスに最適な成膜材料や装置の開発を強化している。
（以下、本紙2026年7月9日号1面）
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