極低温エッチング、次世代NANDで必須技術に
環境負荷低減に期待高まる、装置＆ガス各社が開発加速
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3D-NANDなどのメモリー向けドライエッチング技術として、極低温エッチング（クライオエッチング）が注目されている。クライオエッチングでは、シリコン（Si）ウエハーをマイナス50℃以下に冷却することで、従来のプラズマエッチングよりも微細で深い穴を高精度に加工できることから、積層化が進む3D-NANDにおいては必須の技術となる。装置メーカーがクライオエッチング装置の開発を加速する一方で、ガスメーカーもクライオエッチングに最適なエッチングガスの提案を強化している。
（以下、本紙2025年7月10日号1面）
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