GaNパワー半導体、300mm量産時代へ突入
インフィニオンが先行、装置や基板も環境整う
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GaNパワー半導体が2025年後半から300mmウエハーによる量産に突入しそうだ。先ごろ独インフィニオンが300mm技術の開発を発表し、顧客へのサンプル出荷を25年10～12月期から開始することを表明。米TIも日米で生産能力を4倍に拡大するとともに、300mmへの移行を視野に入れた。量産がスムーズに立ち上がれば、今後数年で各種電源のさらなる小型化や省エネ化が一気に進みそうだ。
（以下、本紙2024年11月28日号1面）
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プリント回路・実装
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電池・新エネルギー
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製造装置・材料・FA・ロボット
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ブライトピック、1200万ドルを資金調達、倉庫ロボの米国展開加速
一般電子部品
太陽誘電 24年度、通期予想を下方修正、下期低迷で稼働率調整
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