先端リソグラフィー、EUV依存から脱却進む
DRAM分野で動き顕著、NIL、液浸に再び脚光
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先端半導体のリソグラフィー分野において不可欠な、EUVの採用に異変が生じている。装置価格の高額化を受けて、既存技術の延命やEUV以外の新技術導入を検討する動きなどが、コストに敏感なDRAM分野を中心に広がっている。先端ロジック分野でも高NA（開口率＝0.55）の導入で足並みが揃わない事態となっている。EUVに頼らないかたちでのスケーリングを求める動きが強まっており、NIL（ナノインプリントリソグラフィー）にも再び注目が集まっている。先端リソを取り巻く業界環境が大きく変わってきた印象だ。
（以下、本紙2024年10月17日号1面）
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