化合物半導体ウエハー、24年から本格回復軌道に
InPはDC高速化が牽引、Ga規制の早期解決に期待
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GaAs（ガリウム砒素）やInP（インジウム燐）といった主に通信を主用途とする化合物半導体ウエハーは、スマートフォン市場やデータセンター（DC）投資に底打ち感が強まってきたことで、2024年から回復軌道に乗ると期待されている。なかでもInPは、生成AIの普及に伴って高速通信向けに需要増が見込まれ、光インターコネクトの発展がデバイス、ウエハーの需要を牽引していくことになりそうだ。
（以下、本紙2023年12月14日号1面）
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