電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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2023/12/14(2578号)主なヘッドライン
化合物半導体ウエハー、24年から本格回復軌道に
InPはDC高速化が牽引、Ga規制の早期解決に期待


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 GaAs(ガリウム砒素)やInP(インジウム燐)といった主に通信を主用途とする化合物半導体ウエハーは、スマートフォン市場やデータセンター(DC)投資に底打ち感が強まってきたことで、2024年から回復軌道に乗ると期待されている。なかでもInPは、生成AIの普及に伴って高速通信向けに需要増が見込まれ、光インターコネクトの発展がデバイス、ウエハーの需要を牽引していくことになりそうだ。
(以下、本紙2023年12月14日号1面)




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インタビュー
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   最高技術責任者 兼 研究開発担当 森本典繁氏(下)
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