電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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2021/11/25(2475号)主なヘッドライン
半導体洗浄プロセス、革新技術の採用始まる
パターン倒壊リスクを軽減、用途拡大には成膜もカギ

超臨界乾燥技術によりパターン倒壊を抑制(出典:東京エレクトロン)
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 半導体洗浄技術に、これまでとはコンセプトの異なる革新的な新技術が登場してきた。微細化の進展や構造の複雑化を背景に、従来の薬液でウエハーを洗浄し、乾燥させる手法ではパターン倒壊リスクの抑制が困難になっている。そのため、大手洗浄装置メーカーでは微細かつ複雑な構造のデバイスに適した新たな洗浄・乾燥技術を開発し、提案を進めている。すでに一部で適用が始まっており、長年スタンダードだった技術に変化が起きるのか注目される。

 半導体製造における洗浄プロセスは、エッチング後の残渣除去や成膜工程前におけるウエハーのデフェクト除去など、様々な目的に向けて繰り返し行われ、歩留まり向上のカギを握るキープロセスと位置づけられている。一般的な洗浄プロセスは、それぞれの目的に最適化された薬液を用いて洗浄を行い、薬液を超純水などで洗い流すリンス工程と、その後にウエハーを乾かす乾燥工程がある。

(以下、本紙2021年11月25日号1面)




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