次世代メモリーの有力候補と目されるMRAMは、磁気素子における電子のスピンをメモリーとして用いるため、材料の劣化がなく、書き換え回数は事実上無限の不揮発性メモリーだ。高速化によるSRAM代替、大容量化によるDRAM代替など巨大市場が視野に入るため、日米韓の主要メモリーメーカー、研究機関、装置・部材メーカーを巻き込んだ開発競争が繰り広げられている。東北大が2013年11月に開設した国際集積エレクトロニクス研究センターの産学コンソーシアムには、エルピーダメモリを傘下に収めた米マイクロン・テクノロジーやルネサス エレクトロニクスなど日米半導体開発関連企業20社が参加する予定で、今後のMRAM開発の中心拠点の1つとして大きな役割を担っていくと期待される。

■製品展開は1社のみ
　周知のとおり、現在実際にMRAMを製品として展開しているのは、米エバースピン・テクノロジーズ社の1社のみだ。同社が12年末に発表した第2世代品「64MビットSTT-MRAM」（面内磁化、90nmプロセス）は、磁気素子に直接電流を流すことで、電子スピンで可動磁性層の磁化方向を変える「スピン注入磁化反転」（STT）を書き込み方式に採用。書き換えに必要なアクティブ電流を従来から大幅に低減した。
　13年11月には、横浜で開催されたエンベデッド・テクノロジー展において、バッファロー・メモリーがキャッシュメモリーにこのSTT-MRAMを採用したSATAIIISSDを展示するなど、製品展開で大きく先行している。

■東芝が14年にサンプル出荷開始
　製品化でエバースピンが先行するなか、14年に注目されるのが、東芝がサンプル出荷を開始するとしている垂直磁化型のSTT-MRAMだ。
　同社はこれまで産総研と非常に緊密な関係を構築し、MRAMの開発を推進してきた。11年7月にはSKハイニックスとの共同開発にも合意し、韓国・利川にある同社の研究施設に技術者を派遣している。

---

◇ ファルテック、車載電子事業を強化、三菱電線から事業譲受
◇ 東芝 S＆S社、13年度投資据え置き、3D試作ラインも導入へ
◇ パナソニック、物流施設へ転用か、尼崎工場売却案が浮上
◇ ウィンボンド、設備投資4倍超に、DRAM46nm世代を拡張
◇ 日本電産、買収企業の生産増強、車載関連事業を拡大
◇ 東芝、20年にオールフラッシュ化、データセンター用ストレージ戦略
◇ 富士通セミコン 4～12月期、スマホ好調で増益、通期見通しも上方修正
◇ 富士電機 10～12月期、半導体8％増収、パワー好調で上方修正
◇ 村田製作所、AMRセンサー 全方位で磁界検出
◇ サンディスク 13年業績、大幅な増益を達成、SSDが売り上げの2割に
◇ インテル、データセンターなど4分野に注力、14nmプロセスの生産開始
◇ RFMD 10～12月期、スマホ不振で減収、BAW調達を安定化
◇ 台湾基板メーカー13社 13年売上高、ZDがトップに浮上、全社で6％増収、
　　車載にも参入
◇ ユニオンツール、新型ドリルを増産、コーティング炉を増設
◇ AT＆S、部品内蔵に注力、パッケージ基板を強化
◇ LGイノテック 基板事業、年間で増収増益に、10～12月期はブレーキ
◇ AUO、昆山に6G新工場、16年初頭から量産へ
◇ 韓国FPDメーカー、プラズマ事業撤退へ、14年の世界需要半減
◇ 日東電工 4～12月期、オプト事業は減益、フィルム製品で調整
◇ 東京エレクトロン 10～12月期、SPE受注高水準キープ、NAND投資が牽引
◇ 日立国際電気 10～12月期、半導体装置受注2.4倍、メモリー、ファンドリー牽引
◇ TMEIC、ミスト利用のCVD、大気圧下で高速成膜
◇ 日立ハイテクノロジーズ、ロシアに現地法人 周辺国にも展開
◇ JSR 10～12月期、電子材 増収増益に、ArF 20nm世代で伸長
◇ 富士フイルム、新型CIGS開発、樹脂基板で大幅軽量化
◇ 東京エレクトロン、ソーラーから撤退、エリコン買収から2年で