半導体設備投資、2年連続で1000億ドル超
韓台2強で全体の5割、中国勢投資はまだら模様
2021年の世界半導体設備投資は前年比8％増の1110億ドルが見込まれており、2年連続で1000億ドルの大台を突破することになりそうだ。TSMC、サムスン電子の大手2社が巨額投資を敢行する構えで、両社合算の投資金額が全体の51％を占めるという構図になる。近年はこの2社にインテルを加えた3強による大型投資が展開されていたが、7nm世代の開発遅延に伴う外部アウトソース活用の検討など同社の先端プロセスにおける生産戦略に見直しがかかっていることもあり、勢力図が変わりつつある。SMICなどを中心に半導体国産化に向けた戦略的投資が進められていた中国勢の投資は、米中貿易摩擦の影響などを受けて、まだら模様の印象だ。21年の半導体設備投資動向を展望する。
新型コロナによって、加速度的に普及したリモートワークやオンライン学習／医療などの生活様式の変化によって、半導体の重要性がより一層増しており、これが各社の設備投資拡大につながっている。また、米中ハイテク戦争に伴うデカップリングも中国勢の投資を後押ししており、20年に起きた「新型コロナ」「米中対立」という、大きなマクロ環境の変化はいずれも半導体需要を高めることとなっている。
こうした状況を受けて、TSMCとサムスンは過去に例のない投資計画を打ち出している。TSMCは21年投資金額として250億～280億ドルを計画。現在量産中の5nmプロセスの追加増強が予定されているほか、次世代の3nmも22年の量産開始に向けて、今年から量産用装置の導入が始まる見通し。
TSMCにとっては、インテルの外部委託の方針も今後の投資戦略を大きく左右することになりそうだ。同社は7nmの開発遅延に伴い、ここにきて外部リソースの活用を示唆していたが、CEOの交代に伴い、2月15日以降に改めて戦略がアップデートされる見通し。一時に比べて外部アウトソースの方針がトーンダウンした可能性も指摘されているが、AMDとの競争激化やハイパースケーラー顧客のチップ内製化を前に、猶予はそれほど残されていないのが実情だ。
サムスンの21年半導体設備投資額は、300億ドルを超える規模が見込まれている。20年12月に入り、DRAM、NAND双方の投資計画が決まり、一気に製造装置メーカーに設備発注が行われた。DRAMでは平澤第2工場での1Znm世代の投資、NANDでは西安第2工場での92層世代の追加投資、平澤第1／第2工場での128層世代の投資が年初から始まっている。
（以下、本紙2021年2月11日号1面）
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