電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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2013/1/30(2025号)主なヘッドライン
ナノカーボン材料 応用デバイス開発が加速
見えてきたCNTメモリー/トランジスタ、日本の技術で生産効率1000倍に

 近年大きな注目を集めているグラフェン、カーボンナノチューブ(CNT)、ナノホーンなどのナノカーボン材料は、キャリア移動度、比表面積、機械的強度、熱伝導率などにおいて既存材料を大きく超える特性により、蓄電デバイス、半導体デバイス、透明導電膜をはじめとした幅広い分野への応用が期待されている。これらのナノカーボン材料は新しい材料であるがゆえに、量産応用までには長い時間を要すると見られていたが、昨今、各プロジェクトや産学での開発が大きく進展し、本格的な量産展開・製品応用が目前に迫ってきている。

■材料コストを大幅低減
 鋼の20倍の強度、銅の10倍の熱導電性、シリコンの10倍の電子移動度を持つ材料として、半導体デバイス応用に関する研究が長年進められてきたナノカーボン材料がCNTだ。
 周知のとおり、CNTは1991年に飯島澄男博士によって発見された日本発の材料で、これまでにないデバイスを実現する材料として期待されている。しかし、現状、価格が1gあたり数十万円(単層CNT)と非常に高価である点が、研究開発のみならず、量産展開に向けての課題となっていた。



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