SiCパワー半導体、デバイス「量産」本格化
ウエハーや装置も供給強化、3年後には8インチ化も
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SiC（炭化ケイ素）パワー半導体市場が急速に拡大してきた。調査会社ヨール・デベロップメントの調べによると、STマイクロエレクトロニクスは2017年に2900万ドルだったSiCパワー半導体の売上高を、18年には3.6倍の1.05億ドルへ急拡大させた。背景にあるのが、米テスラの電気自動車（EV）「モデル3」へのSiCインバーターの採用だ。今後2～3年以内に8インチウエハーの登場も予想され、製造装置やファンドリー業界も活気を帯びつつある。SiCもシリコンと同じく、半導体業界ならではの「パワー勝負」の様相を呈し始めた。
テスラに続き、SiCを採用する自動車メーカーが今後どれほど増えるかは未知数だが、デバイス業界は「量産」へ舵を切り始めた。SiCウエハーで世界シェア6割を握る米クリーは5月、今後5年間で総額10億ドルを投資し、SiCおよびGaNデバイス（GaN on SiC RF）とSiCウエハーの生産能力を24年までに、16年7～9月期時点に比べてそれぞれ最大30倍に拡大すると発表。9月には、このデバイス工場をニューヨーク州に新設し、同州から5億ドルの助成を受けることを明らかにした。
これに伴い、他の半導体メーカーとSiCウエハーの長期供給契約も締結。すでに米オン・セミコンダクターと8500万ドル以上、STマイクロと2.2億ドル、独インフィニオンおよび非公表の1社あわせて総額6億ドル近くにのぼっているという。
（以下、本紙2019年10月17日号1面）
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