電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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2018/12/20(2327号)主なヘッドライン
パワー半導体、増産機運さらに高まる
富士電機は1000億円投資を視野、「日本勢の300mm化」が焦点

 パワー半導体の増産機運がいっそう高まってきた。SEMIが先ごろ初めてまとめた「Power and Compound Fab Outlook」によると、パワー半導体の月産能力は2022年に650万枚以上に拡大する見通しで、18年から100万枚以上増えることになるという。半導体各社からも大型投資に前向きなコメントが続出しており、19年以降は増産に向けた計画がより具体化しそうだ。

 すでに積極的な増産投資を進めているのが、パワー半導体で世界最大手の独インフィニオンだ。同社は現在のところ世界で唯一、ドレスデン工場にて300mmウエハーでパワー半導体を量産している。19年度(19年9月期)は16億~17億ユーロの設備投資を計画しており、オーストリア・フィラッハ工場300mmウエハー新棟の立ち上げなどに取り組む予定だ。
 フィラッハ新棟は18年11月に着工した。19年度は投資額のうち約2億ユーロを充てる予定だが、6カ年で総額16億ユーロを投じる計画であり、20年中ごろから装置を導入し、21年初頭から車載向けを含むMOSFETとIGBTの生産を開始する予定だ。

(以下、本紙2018年12月20日号1面)



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ロチェスター エレクトロニクス 日本オフィス代表 藤川博之氏
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