電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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2012/11/28(2017号)主なヘッドライン
450mm、18年から量産開始へ
装置開発は投資回収がカギに、14年半ばにはデモ機出揃う?

 2003年版のITRSにおいて次世代ウエハーの口径が450mmとされ、導入目標が12年と定められた。それから約10年。現状はデバイス・装置・部材の関連各社がようやく足並みを揃え始めた段階だ。リーマンショックや欧州金融危機などマクロ経済の混迷も相まって、遅々として進まなかった450mmへの移行だが、新たなコンソーシアムの設立や、インテル・TSMC・サムスンによる露光装置メーカーへの出資などが相次いで発表され、移行へのスピードが一気に速まった。しかし、18年ごろと見られる量産開始までにはクリアすべき課題が山積しており、情報の共有、業界が一丸となった取り組みが求められる。

■ロードマップ明らかに
 インテル、サムスン、TSMCの3社が450mmファブの実現に向けた共同声明を発表(08年5月)してから4年以上が経った。業界の低迷から一時期は実現に赤信号が灯りかけたが、11~12年にかけて各社の動きが慌しさを増した。
 サムスン電子は12年8月、ASMLの株式の3%を5億300万ユーロ(約520億円)で取得。これとは別に、次世代リソグラフィー(EUV)技術の開発費として、今後5年間で2億7600万ユーロをASMLに投資する計画を打ち出した。
 サムスン電子副会長のコン・オヒョン氏は「次世代露光技術の開発が完了し、かつ全体の装置が完成したうえで、初めて450mmへの移行が可能になる」と語っており、今回のR&D参画には、450mmウエハー向け装置開発を加速する狙いも含まれている。




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