電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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2018/4/12(2291号)主なヘッドライン
EUV用フォトマスク、量産導入控え開発急ピッチ
課題は検査技術とペリクル、ブランクス企業は供給強化

EUVマスク/ブランクスの技術課題
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 EUV(極端紫外線)リソグラフィーの量産導入を目前に控え、「原版」の役割を担うフォトマスク分野も開発が急ピッチで進んでいる。マスクの描画技術そのものはめどが立っているものの、検査技術、とりわけパターン付きマスクの検査技術の確立が遅れている。また、マスクを保護する役割を担うペリクルも開発途上の段階で、5nm世代での本格的な採用に向けて超えるべき課題はまだ多く残されている。

 透過型マスクを用いる現行の光リソに対し、EUVは反射光学系を用いているため、マスクも反射型で、かつ構造が非常に複雑だ。LTEM(極低膨張ガラス)などの基板上にMoSiの(モリブデンシリサイド)を80層近く積み上げた構造を取る。
 EUVによるデバイス製造を実現するには、マスクの品質保証が前提となるが、これにはマスクブランクスの欠陥低減が必要となる。しかし、現実的には無欠陥ブランクスを作ることはほぼ不可能であり、いかに欠陥を正確に検出するかが重要な要素となっている。

(以下、本紙2018年4月12日号1面)



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