メモリー後工程、装置・材料需要を牽引
ASEなど新規参入も、HBMなど新技術にも注目
メモリーの後工程生産が好調に推移している。DRAM、NANDフラッシュの旺盛な需要に伴い、メモリー後工程を担う主要プレーヤーの生産は極めて高水準で推移し、韓国、台湾企業を中心に積極的な設備投資が展開されている。製造装置や材料の需要も安定して伸びているほか、今後はHBM（High Bandwidth Memory）などの新市場・新技術も本格的に台頭してくることから、メモリー後工程に関わる装置・材料需要は今後もしばらく好調が続きそうだ。
メモリーは昨今の半導体市場の成長における最大の牽引役だ。米ガートナーによれば、2017年の半導体市場は前年比16.8％増と近年まれに見る成長を遂げる見通しだ。メモリー市場だけに限れば、その伸びは同52％増と驚異的で、需給逼迫に伴う価格の高止まりが続いている。
DRAMではサーバー用途を筆頭に需要が拡大、スマートフォン（スマホ）などモバイルDRAMも1台あたりの搭載容量拡大を主因に旺盛な需要が続いている。NANDフラッシュではスマホの大容量化に加え、エンタープライズ／クラウドなどBtoB市場が大きく立ち上がっており、ここでは3D-NANDが主役を務めている。こうした状況を受け、サムスン電子やSKハイニックスなどの韓国系IDMはもちろん、後工程生産を受託するOSATの業績も好調だ。
OSATでは、台湾大手のパワーテックテクノロジー（力成科技）がその筆頭で、16年の通年売上高は過去最高を達成。先ごろ発表した17年4～6月期業績も、売上高が前四半期比10％増／前年同期比23％増の139億台湾ドルと、四半期ベースで過去最高を記録した。
（以下、本紙2017年8月3日号1面）
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