次世代スマートフォン（スマホ）のメーン基板の製法が大きく変わる。アプリケーションプロセッサー（AP）などの半導体の高集積化が進み、パッケージの狭ピッチ化に対応するため、めっきで回路を形成するMSAP（モディファイド・セミアディティブ・プロセス）が適用される。これにより基板面積を大幅に縮小し、搭載できるバッテリーを大容量化できるようになる。さらに、主画面に有機EL（OLED）が搭載されることで、FPCを含めて基板業界の部材のサプライチェーンにも変革の波が押し寄せる。高機能化や高信頼性で一日の長がある日系部材メーカーにも恩恵が出てきそうだ。

■30μm L/Sで量産
　今年発売予定の新型iPhoneに搭載されるメーン基板に、回路線幅（L/S）が30μm/30μmの微細なパターン形成が適用される。層数は10層（4-2-4）が有力だ。これにより基板面積を従来比で3割ほど縮小し、LiB容量を現行の「7」よりも4割弱向上させる。
　さらに、APや各種半導体デバイスの高集積化に伴い、端子数が増加する。このためパッケージの狭ピッチ化を進めざるを得ず、メーン基板のL/Sを細線化する必要があるのだ。
　30μm L/Sには従来のエッチングによる回路形成技術、サブトラクティブ工法では対応できず、めっきによる回路形成技術のMSAPが登場する。電気銅めっきで形成するので、配線表面や形状がきれいな矩形となり、電気特性も向上する。MSAPで15μm L/Sまでの細線化を視野に入れる。

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