パワー半導体、PKG構造に変化の波
SiC登場で銀焼結体を採用、高放熱・高信頼性へ対策競う
IGBT/SiCモジュールなどパワー半導体のパッケージ（PKG）が大きく変わりそうだ。175℃温度保証や長期・高信頼性が要求される領域でPKG形態や主要部材に変化が起きている。ダイアタッチ材への高耐熱Ag焼結体（シンター）の採用をはじめ、PKG構造そのものを見直すメーカーもある。各社は、放熱対策を講じながら機能や信頼性の向上を図りつつ、小型化も同時に実現するという難題に挑む。
SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の登場で、200℃を超える動作時でも安定して機能するパワー素子が活躍する世界がそこまで来ている。性能を最大限に発揮させるため、周辺の実装部材には従来のSiベースのパワーデバイスでは使用されていなかった材料に注目が集まる。その1つがAgシンターだ。ダイアタッチ材の領域で、現在の高温はんだに取って代わりそうだ。
一般的なIGBTモジュール構造では、チップ電極は太線アルミワイヤーで接続され、ゲル状の絶縁封止材で密閉。チップ下のダイアタッチ材には高温はんだが使用されている。
（以下、本紙2016年2月11日号1面）
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