ロジックファンドリー分野で16/14nm世代のFinFETへの投資が加速している。次世代の10nm世代が量産工程で導入されるのは早くとも2017年になることから、16/14nm世代が丸2年間、最先端プロセスという位置づけになり、ここでの主導権争いが今後の事業展開に直結するためだ。台湾TSMCと韓国サムスン電子を筆頭に今後、生産能力が大きく増える見通しで、16年末には業界全体で月産13.5万枚の生産能力に達する勢いだ。

　ファンドリー各社が16/14nm世代での受注獲得に意欲を示すのは、今後の微細化ロードマップが大きく関係する。28nm世代以降、ファンドリーの微細化サイクルは狭まっており、約1年のスパンで最新プロセスが導入されてきた。TSMCが大きなシェアを持つ20nm世代は14年から採用されたものの、15年には早くも16/14nm世代が実製品に搭載される見通しだ。
　しかし、次世代の10nm世代は今のところ、16年には登場しないもようだ。リソグラフィー技術の複雑化と、ゲートあたりの開発コストのバランスが取れないために、ファンドリー各社が本格的に採用を始めるのは17年と見られており、15～16年の2年間の最先端プロセスは16/14nm世代ということになる。結果、ここでの受注状況が向こう2年間の業績を大きく左右する構図で、32/28nm世代が登場した12年と状況が重なる。
　15年に同世代を用いるデバイスは、米アップルの次期iPhone向けアプリケーションプロセッサー（AP）「A9/A9X」、中国ファーウェイ傘下のファブレス企業ハイシリコン（海思半導体）の「Kirin930」、サムスン電子の「Exynos7」、そしてFPGAが該当する。16年になると、クアルコムも「Snapdragon820」で採用することを表明しており、採用デバイスが拡大する見通しだ。さらに今後、台湾メディアテックもこれに追従することになりそうだ。

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