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2014/11/5(2116号)主なヘッドライン
DRAM業界、微細化と増産投資が同時進行
工程数増加で需給は均衡、20nm微細化投資が本格化

 DRAM業界が微細化投資とキャパシティー増加投資を同時進行させる事態に発展している。2014~15年のビット成長が25%前後にとどまると予想されるなか、需給バランスの崩壊を危惧する声も聞かれるが、微細化による製造工程の大幅な増加に伴って均衡は保たれる見通しだ。微細化投資とキャパシティー増加投資により装置・材料業界への恩恵も期待されるが、次世代の1Xnm世代への微細化の可否はいまだ混沌としており、新たな競争軸を模索する時期にも差し掛かっている。

 設備投資を行ううえでの判断材料となるDRAMのビット成長率は12年以降、30%を下回る水準が続いている。一般的にビット成長が25%前後であれば、プロセス微細化による供給増で需要を満たせるとみられており、これがここ数年DRAMのウエハー投入能力の増強、いわゆるキャパシティー投資に発展しなかった理由だ。
 15年のビット成長も現状で25%前後と、過去に比べれば低水準の状況が続くなか、DRAMメーカーは数年ぶりにキャパシティー投資を再開させている。計画が具体化しているのが、韓国サムスン電子。華城にある第17ラインでDRAMの増産を計画している。同ラインでは、15年半ばから月産4万枚規模で20nm世代のDRAM量産を計画しており、15年後半には供給体制に寄与してくるとみられる。また、先ごろ発表した平澤の半導体新工場の建設計画についても、生産品目は明らかにされていないが、メモリーが有力候補に挙がっている。
 世界全体のDRAM生産能力が月産110万枚前後と推定されるなか、同4万枚分が新規に加わっただけでも需給の不均衡が危惧されるほど、DRAMビジネスは繊細でかつ変動が激しい。今後の市況を不安視する向きもあるが、現在の技術動向を考慮すると、今回の増産投資は理にかなったものといえる。

(以下、本紙2014年11月5日号1面)



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◇ SCREENセミコンと三菱マテリアル、PZT膜を量産化、2倍以上の生産性実現
◇ SMIC、38nm NAND開発、ロジック依存度を低減
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◇ NXP、車載半導体の戦略解説、車車間/路車間通信IC量産へ
◇ TSMC 7~9月期、20nm寄与で14%増、通年で構成比2割に
◇ UTAC、京都府長岡京市に販売事務所を開設
◇ 京セラ、SiN基板に参入、次世代パワー向けに展開
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◇ フォックスコン、6G工場計画を変更、成都から高雄に方向転換
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