独アイクストロン（日本法人＝東京都品川区北品川1-8-11、Tel.03-5781-0931）は、三菱電機に納入したMOCVD「AIX 2800G4 HT Planetary Reactor system」が稼働を始めたと発表した。三菱電機はこの装置を活用して、携帯電話用基地局向けGaN on Siパワーアンプ（PA）の開発・量産を加速する。
　稼働を始めたG4は、処理するサセプターとウエハーが独立して回転するプラネタリーリアクター（自公転）方式を採用しており、4インチ×11枚の構成。前世代のG3からの知見をもとに、ウエハーの反りを抑え、優れた均一性で歩留まりを向上できるため、三菱電機は主にGaN on Si PAの量産に活用するという。
　また、アイクストロンは6月、4インチ対応のMOCVD「CRIUS」を住友電工デバイス・イノベーション（株）（SEDI）から受注したことを明らかにしている。7～9月期中に横浜市栄区にあるSEDI本社・電子デバイス事業部に納入される予定である。
　SEDIが量産を狙うのはGaN on SiCのHEMTデバイスだ。レーダーや一般用途向けとともに、やはり15年から需要が拡大すると予測されている携帯電話用基地局向け、ワイヤレス市場向けなどをターゲットに据えている。
　ワイドギャップのパワーデバイスでは、新材料であるSiCとGaNが注目を浴びている。ともに高電力に対応するが、主にSiCは車載など高耐熱用途、GaNは基地局やワイヤレスなど高周波用途を主戦場としている。
　GaNパワーデバイスの量産では、格子乗数の違いから、シリコンウエハー上に必ず転位低減層（バッファー層）を設けなければならない。このため縦構造の形成が難しいとされる。また、SiCではデバイス製造よりも、昇華法による単結晶成長に課題がある。成長できる結晶が短いため多くのウエハーが切り出せず、1枚あたりのコストが下げづらいといわれている。

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