EUVリソグラフィー、装置調達で各社争奪戦
インテルもEUVに積極投資、関連各社の供給能力ネックに
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量産工程でEUVリソグラフィー技術の導入が進むなかで、半導体メーカーによる露光装置や検査装置の争奪戦が始まっている。EUV導入における、これらキーツールは供給できる装置メーカーが限られており、供給能力がネックとなっているためだ。EUVの採用企業としてTSMCとサムスン電子が覇権争いを演じているほか、一時外部アウトソースに傾きかけたインテルも新CEOのもと、EUV投資を積極的に推し進める姿勢を打ち出した。採用企業数が少ないことが、EUV関連市場に向けたネガティブな要素と考えられていたが、採用ユーザーの拡大に加え、1社あたりの導入・購買台数が桁違いに増えてきたことから、これら不安の大部分は払拭されてきた。
EUVは現在、7／5nm世代といった先端ロジックの一部工程に導入されており、微細化に伴い適用レイヤー数が増加傾向にある。TSMCの場合、N7＋では3～4工程にEUVが適用されていたが、N5では10工程前後に拡大。さらに2022年から量産開始予定のN3では20工程近くまで増加すると見込まれている。
量産ボリュームという意味ではTSMCが他を圧倒しており、EUV露光装置の保有台数も群を抜いている。ただ、サムスン電子が先端ロジックに加えて、DRAMでの適用も予定しているほか、同じくメモリー大手のSKハイニックスもASMLとEUV購入に関する長期契約を契約したことが報じられている。
インテルも今後EUV関連の投資を強めていく。同社は3月23日に開催された投資家向けイベントにおいて、最先端プロセスの製造を自社ファブで引き続き行っていくことを明言。さらに、アリゾナ州内にファンドリー事業拡大のために、200億ドルを投じて新工場を建設することも発表した。
同時に、23年から本格量産予定の7nm世代において、従来検討していたEUV適用レイヤー数を2倍以上に増やし、製造プロセスを簡素化していく考え。これにより、EUV関連投資は当初の想定を大きく上回ることになりそうだ。実際に、同社の21年設備投資金額は前年比で大きく減額されるとの見方が大半だったが、同イベント時に発表された21年投資金額は190億～200億ドルと、前年実績（143億ドル）を大きく上回る規模となっている。
（以下、本紙2021年4月15日号1面）
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