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2014/4/9(2086号)主なヘッドライン
半導体リソグラフィー、ArF液浸で7nmも視野
8回露光技術も現実味、キヤノンはNILで勝負

 半導体産業の成長の根幹を担うリソグラフィー技術の展望に変化が出始めている。次世代候補の筆頭であるEUV(極端紫外線)の導入が光源やマスク、レジスト分野で課題を抱え、遅々として進まないなか、10/7nmといった次々世代においても、既存のArF液浸にMPT(マルチプル・パターニング)を加えた延命技術で乗り切ろうといった動きが活発化してきた。一方で、キヤノンが米モレキュラー・インプリンツ(MII)を買収したように、一時は候補から外れたかに見えたナノインプリント(NIL)技術も再び注目を集めており、半導体リソグラフィーの将来像はより一層掴みにくくなってきている。

 「ArF液浸で勝負する」―。半導体露光装置を展開するニコンの牛田一雄精機カンパニープレジデントが3月に開催された技術説明会で発したコメントである。以前はEUVで先行するASMLに対する負け惜しみとも受け止められていたが、ここ最近は同社の選択が間違っていなかったと思わせるほど、EUVの本格導入に向けた動きは停滞している。
 EUVは経済性などを除く部分で、主に光源とマスクで技術課題を抱えている。光源開発では目標が250Wと定められているが、現状、ASML傘下のサイマーの出力は単体で70W(12時間稼働)、装置に組み込んだ場合は30W(6時間稼働)にとどまっており、目標達成にほど遠い状況だ。マスクにおいても欠陥低減や検査・リペア技術の確立が求められているほか、ペリクル(保護膜)の新規開発も叫ばれ始めている。また、マスクリペア時に必要なAIMS(空間像測定システム)の早期確立も求められている。

(以下、本紙2014年4月9日号2086面)



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