パワーMOSFETと並び、2012年のパワー半導体市場マイナス成長の主因とされたIGBT市場に活気が戻ってきた。足元では自動車や産業機器市場の好調に支えられ、参入各社の業績は回復基調が鮮明になってきており、増産投資も再開され始めた。また、より高効率化を目指したフィールドストップ（FS）型の導入など先端技術の導入もより活発化してきており、プラスアルファの装置・材料需要の芽も出つつある。シリコンの物性限界でSiC（シリコンカーバイド）が注目を集めるなか、まだまだシリコンが主役の時代が当分は続きそうだ。

　現在のIGBT市場の好況は、自動車と産業機器市場によるところが大きい。特に自動車市場は年間を通じて安定しており、13年の世界自動車生産台数も前年比2.3％増の8340万台（IHS調べ）が見込まれている。また、安心・安全などのアクティブセーフティー機能の搭載やHEV／EVの台頭で、1台あたりの半導体搭載金額の上昇もパワー半導体市場の成長を後押ししている。
　産業機器市場は、12年は中国や欧州経済の低迷で大きく落ち込んだが、13年は「2月から受注が急回復した」（国内パワー半導体メーカー）という。最も大きな要因として考えられているのが、中国国内の工場での省人化対応に向けたロボット需要の拡大だ。これまでは人海戦術に頼るところが大きかったが、近年は労務費の上昇に伴い、こうした方針を転換しつつある。中国に巨大EMS工場を有する台湾ホンハイ（鴻海精密工業）も14年までに100万台のロボット導入を表明している。
　市況好転に伴って、パワー半導体各社の売り上げも上昇傾向にある。国内大手の三菱電機と富士電機は、12年夏場を底にパワー半導体の売り上げが回復しており、三菱電機の13年度パワー半導体売上高は過去2番目の水準となる前年度比24％増の1135億円、富士電機は過去最高となる同15％増の974億円を計画している。

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