半導体製造において、ウエハー接合工程が大きな注目を集めている。従来はMEMSやSOIウエハーなどニッチ市場に用途が限られていたが、裏面照射型（BSI）CMOSイメージセンサー（CIS）の登場を契機に環境が一変している。今後もパワー半導体やLED向けに採用が期待されるほか、3次元パッケージ技術のTSV（シリコン貫通ビア）が業界浮沈のカギを握る。また、市場拡大の期待感から装置メーカーのあいだでは同分野への新規参入も相次いでいる。次世代半導体製造のキープロセスとされるウエハー接合工程の最新トレンドを追った。

　ウエハー接合工程は従来、ごく限られた市場に適用されていた。代表的なものがMEMSとSOIウエハーだ。MEMSではデバイスを作り込んだシリコンウエハーとキャップウエハー（ガラスなど）を接合する際に使われており、現在もウエハー接合における主要アプリケーションだ。
　しかし、2010年以降、BSI型CISの登場により、ウエハー接合工程を取り巻く市場環境は大きく変わっている。BSI型CISは現在、スマートフォンなどのモバイル端末向けのカメラではもはや標準的に搭載されており、モバイル用CISの主流となっている。周知のとおり、BSI型はフォトダイオードと配線層の構造を逆転させることで入射光をより多く取り込むことができ、高感度化に適している。製造工程では支持ウエハーを貼り合わせる工程が必要となり、ここにウエハー接合技術が採用されている。

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