GaNデバイス、需要拡大期に突入
5G基地局用にHEMT急増、FETも電源用に採用増
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窒化ガリウム（GaN）デバイスの需要が本格的に拡大し始めた。5G通信の商用化に向けて、通信基地局向けに高周波増幅用トランジスタ（GaN HEMT）の需要が大きく伸びており、インフラの普及に伴ってさらなる拡大が期待できる。これに応じるため、参入各社から増産計画も浮上しており、2020年以降も活況を呈しそうだ。また、GaNパワーデバイスの採用実績も伸びてきており、期待の新材料がいよいよIC市場でも多用されることになる。
GaNはこれまで、青色に発光するLEDやレーザーダイオードの材料に用いられ、主に光デバイスとして実用化されてきた。2000年前後から、GaNの特性である高周波や高速スイッチングをICに利用する研究が世界的に活発化したが、既存のシリコンデバイスの高性能化やコスト優位性に阻まれ、一定の市場規模を確保するには至っていなかった。
だが、5Gインフラの導入本格化に伴い、GaNを取り巻く状況は一変した。5G通信に利用されるサブ6GHz帯（なかでも周波数の高い領域）ではシリコンLDMOSに対するGaN HEMTの優位性が明らかになり、複数のアンテナを使って送受信するマッシブMIMO基地局（RRH＝Remote Radio Head基地局）への採用がここにきて急速に伸びている。
（以下、本紙2019年5月23日号1面）
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