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2017/4/13(2240号)主なヘッドライン
新型iPhone、メーン基板にMSAP適用
LiBの大容量化を牽引、日系部材メーカーにも勝機

 次世代スマートフォン(スマホ)のメーン基板の製法が大きく変わる。アプリケーションプロセッサー(AP)などの半導体の高集積化が進み、パッケージの狭ピッチ化に対応するため、めっきで回路を形成するMSAP(モディファイド・セミアディティブ・プロセス)が適用される。これにより基板面積を大幅に縮小し、搭載できるバッテリーを大容量化できるようになる。さらに、主画面に有機EL(OLED)が搭載されることで、FPCを含めて基板業界の部材のサプライチェーンにも変革の波が押し寄せる。高機能化や高信頼性で一日の長がある日系部材メーカーにも恩恵が出てきそうだ。

■30μm L/Sで量産
 今年発売予定の新型iPhoneに搭載されるメーン基板に、回路線幅(L/S)が30μm/30μmの微細なパターン形成が適用される。層数は10層(4-2-4)が有力だ。これにより基板面積を従来比で3割ほど縮小し、LiB容量を現行の「7」よりも4割弱向上させる。
 さらに、APや各種半導体デバイスの高集積化に伴い、端子数が増加する。このためパッケージの狭ピッチ化を進めざるを得ず、メーン基板のL/Sを細線化する必要があるのだ。
 30μm L/Sには従来のエッチングによる回路形成技術、サブトラクティブ工法では対応できず、めっきによる回路形成技術のMSAPが登場する。電気銅めっきで形成するので、配線表面や形状がきれいな矩形となり、電気特性も向上する。MSAPで15μm L/Sまでの細線化を視野に入れる。

(以下、本紙2017年4月13日号1面)



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