車載用パワーデバイスが大きな岐路に立とうとしている。2020年をめどにSiCパワーデバイスを実車に本格搭載しようとする動きがあるなか、技術・コストの双方で課題を抱えており、実用化に向けて順調に進んでいるとは言い難い状況だ。一方で、現行のシリコン系パワーデバイスはIGBTを筆頭に性能限界を打ち破るなど、当面は主役の座を譲りそうにもなく、足元でも増産投資が進行中だ。今後、自動車メーカーやティア1がどういった決断を下してくるのか、17年は今後の動向を占ううえで重要な一年となりそうだ。

　SiCパワーデバイスは現在、産業機器やサーバー、電鉄を中心に、徐々にその市場を広げている。しかし、本当の意味での市場拡大は自動車での搭載と目されており、自動車メーカーの採用方針に注目が集まっていた。14年にトヨタ自動車が「20年をめどに商用車に搭載する」と宣言して以降、デバイス、装置・材料メーカーは準備を進めてきたが、足元の動向は若干足踏みしている状況ともいえる。
　デバイス面ではトレンチ型MOSFETの開発が進展。課題といわれた酸化膜の信頼性確保も進んでいるとみられるが、コストを大きく左右するウエハー・結晶の課題がまだまだ残っているのが現状だ。

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