SKハイニックス、16年投資 6兆ウォン
M14に3D-NAND整備
メモリー大手の韓国SKハイニックスは、2016年設備投資金額として6兆ウォン（約6000億円）を計画している。前年（15年実績6.5兆ウォン）に引き続き、高水準の投資を行っていく構えで、DRAMの微細化投資や3D-NANDの立ち上げに重点的に投じていく。
16年投資は、コスト競争力向上のための技術開発や中長期的な工場用地の確保、インフラ投資などに充てる。なお、製造装置の購入費用は15年に比べて減少する見通しで、年間の減価償却費の範囲内にとどめる考え。
NANDフラッシュ分野では、利川にある最新鋭のM14ラインで3D-NANDの立ち上げを進める。M14ラインは1階部分でDRAMの生産を計画、既存のM10からの装置移設を進めている。3D-NANDはM14ラインの2階部分を活用し、16年後半からクリーンルーム化に向けた工事を行う。
同社では現在、36層-MLCの生産を準備しているほか、48層-TLCの開発も進めている。同社によれば、これらの開発が完了すれば量産に着手する意向だという。また、M14での立ち上げと並行してM12ライン（清州）のFG（フローティングゲート）-NANDの3D化も進める予定で、16年末には3D-NANDの生産能力が月産2万～3万枚となる見通し。一方でFG-NANDに関しても14nm世代への微細化も進めていく方針で、FGと3D双方の投資を同時に進めていくことになる。
DRAMはM14ラインの立ち上げを16年初頭に予定しているほか、2Znmに相当する21nm世代の生産量拡大および歩留まり改善に力点を置く。加えて、現在は次世代の1Xnm世代の開発も進めているが、量産開始時期については17年以降になる予定だ。
（以下、本紙2016年2月4日号1面）
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