多数のご参加ありがとうございました。

確か、４～５年前だったと思う。新材料ＳｉＣおよびＧａＮを採用したパワーデバイスの開発は精力的に進められていたものの、量産に向けては様々な障壁が立ちはだかっていました。両材料に共通するウェハの結晶欠陥をはじめ、ＳｉＣではゲート周りを中心に、ＧａＮは半導体特性そのものに難点が介在してしました。
しかし昨今、これらの難点が急速に改善されるとともに、アプリケーションに至ってはより拡大の方向にあり、両材料の棲み分けから一転、競合分野も生まれて来るのではないかと推測されています。
そこで、パワーデバイス・イネーブリング協会では、ＳｉＣおよびＧａＮパワーデバイスの量産に向けての進捗状況を焦点に「ここまできた！！　ＳｉＣ／ＧａＮパワーデバイス」を企画しました。ウェハからデバイス、さらには実装まで含め、両新材料のパワーデバイスの完成度を探っていきます。
ぜひ、同セミナーにご参加いただき、貴社の事業戦略構築、ビジネス・チャンス獲得のための要素情報としてお役立てください。

開催日	2013年11月1日（金）講演会12:55～17:20　懇親会17:30～19:00
参加費	PDEA会員（無料） PDEA非会員（5,000円／１名　テキスト代・懇親会実費として） ※参加費は当日現金払いになっています
会場	横浜ワールドポーターズ6F　イベントホールＢ
主催	（一社）パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛	（株）アドバンテスト
後援	東京大学VDEC、SIIQ
特別協力	（株）産業タイムズ社