SiC／GaNパワーデバイスの本格量産 by 電子デバイス産業新聞（旧半導体産業新聞）

本当はどうなの!?

SiC／GaNパワーデバイスの本格量産

―　材料からアプリ展開まで、コスト・信頼性・供給能力を問う　―

開催日	2014年3月27日（木）　13:00～17:30
会場	連合会館（東京・御茶ノ水）
参加費	29,400円／１名（テキスト、飲物付、消費税込み）

多数のご参加ありがとうございました。

　SiC／GaNパワーデバイスへの注目度が日増しに高まっています。日系半導体陣営が死守する唯一のデバイス牙城に加え、装置・材料業界にも新材料導入に伴うマーケット誕生の期待が寄せられています。しかしながら、なかなか本格量産のゴーサインが聞こえてきません。試作か少量生産の域を出ていないのが実情です。現状を越え、『本格量産』ライン構築に至るには、そこにどのような課題が控えているのでしょうか。
　そこで半導体産業新聞では、この本格量産に焦点を当てた「本当はどうなの！？　SiC／GaNパワーデバイスの本格量産」を企画しました。講師には元三菱電機㈱　パワーデバイス製作所の山本秀和氏（現　千葉工業大学　教授）を招聘し、Si系LSIとパワーデバイスの両デバイスを手掛けられたご経験から、学問ではなく、かつてのメーカー視点から本格量産に向けた課題を探っていきます。

■ プログラム

プロローグ／SiC・GaNパワーデバイスへの期待

13:00～13:40（40分）

なぜ、SiC／GaNパワーへの注目が高まるのか　～　試作で見る、Siを凌駕するデバイス特性　～

第一章／『本格量産』という言葉が持つ意味

13:40～15:45（途中15分間のブレイク含む）

１．Siと比較した、結晶＆ウェハに関わる課題（40分）

～　結晶成長法と制御／ウェハ信頼性と供給量＆コスト　～

２．SiC／GaNそれぞれのアプリ展開と量産性（40分）

～　製品ターゲットと半導体メーカーの思惑　～

３．Siと比較した、チップ量産プロセスの特異性（30分）

～　プロセス処理温度と装置の信頼性　～

第二章／SiC・GaNパワーデバイスの課題

16:00～17:10

４．SiCモジュールにおける高温動作への対応（40分）

～　裏面接合材と封止材に見る、材料開発とコスト＆信頼性、アプリは自動車分野だけ・・・？　～

５．GaNにおける高周波動作への対応（30分）

～　コイル・コンデンサなどの受動部品がない　～

エピローグ／SiC・GaNパワーの本格量産に向けて

17:10～17:30（20分）

特性、信頼性、量産性、供給、ゲート構造を星取表でまとめてみる

～　Si集積回路に挑んで散ったGaAsを反面教師に　～

講師

山本秀和氏
千葉工業大学工学部電気電子情報工学科　教授（元　三菱電機㈱　パワーデバイス製作所）

※講演タイトルは都合により変更することがありますので、ご了承下さい。

■ セミナー概要

開催日	2014年3月27日（木）　13:00～17:30
参加費	29,400円／１名（テキスト、飲物付、消費税込み）
会場	連合会館（東京・御茶ノ水）
主催	半導体産業新聞　J63

■ お申込み後の流れ

　　申込み確認次第、参加証・請求書をご郵送させて頂きます。
　　お支払いは、請求書がお手元に届いてからのお手続きで問題ございません。

■ キャンセルについて

　　開催日前日50％、当日100％のキャンセル料を申し受けます。ご了承下さい。
　　ご欠席の方につきましては後日、配布資料等お送り致します。

■問い合わせ先

○　産業タイムズ社　事業開発部

　　　 FAX:03-5835-5494　TEL:03-5835-5894
　　　 Email:pd@sangyo-times.co.jp