半導体オブ・ザ・イヤー2012
受賞製品・技術 発表
第18回(2012年6月6日発表)
■半導体デバイス部門 |
グランプリ |
クアルコム |
アプリケーションプロセッサー「Snapdragon S4 Pro」 |
優秀賞 |
IDT |
ワイヤレス・パワー・トランスミッター「P9030&P9020」 |
早稲田大学 |
スーパーハイビジョン用ビデオ復号LSI |
■半導体製造装置部門 |
グランプリ |
日立ハイテクノロジーズ |
1Xnm世代プロセス開発および22nm世代対応の測長SEM「CG5000」 |
優秀賞 |
アルバック |
三次元構造デバイス向けシリサイドプロセス用成膜装置 「ENTRON-EX2 W300 CVD-Ni/CVD-Co」 |
東京エレクトロン |
ウエハーボンディング/デボンディング装置「Synapseシリーズ」 |
■半導体用電子材料部門 |
グランプリ |
日本ガイシ |
SAWフィルター用複合ウエハー |
優秀賞 |
新日本製鐵 |
6インチ口径炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハー |
半導体産業新聞はこのほど、最先端のIT機器・産業を支える半導体製品を表彰する「第18回 半導体・オブ・ザ・イヤー2012」を開催、3部門でグランプリ、優秀賞の計8製品・技術を選定しました。
第18回を迎えた半導体・オブ・ザ・イヤーは、3部門それぞれに自由応募と本紙記者により対象製品・技術をノミネート。ノミネート数は、半導体デバイス部門117点、半導体製造装置部門48点、半導体用電子材料部門38点となりました。
それらを、開発の斬新性や社会に与えたインパクト、市場でのシェア・評価、将来性などを基準に選考。厳正なる記者投票により受賞製品・技術を選定いたしました。
半導体デバイス部門グランプリは、クアルコムのアプリケーションプロセッサー「Snapdragon S4 Pro」が受賞。同社が圧倒的な強さを持つスマートフォン向けではなく、タブレット/ノートPCをメーンターゲットとする同チップが、今後どのような展開を見せてくれるのか、その期待を反映しての評価となりました。
半導体製造装置部門グランプリは、(株)日立ハイテクノロジーズの1Xnm世代プロセス開発および22nm世代以降の量産に対応した測長SEM「CG5000」が受賞。次世代デバイスの開発・製造現場における必要性、同社の測長SEMが持つ、他の追従を許さない高度な技術が評価されました。
半導体用電子材料部門グランプリは、日本ガイシ(株)の「SAWフィルター用複合ウエハー」が受賞。日本メーカーが初めて本格実用化した薄ウエハーの貼り合わせ技術。そのインパクト、同技術が持つ今後の高い将来性が評価されました。
■参加対象:
(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、(3)半導体用電子材料部門
11年4月~12年3月までの間に発表された製品・技術(バージョンアップなどを含む)
■賞:
(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
(3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点 および 優秀賞を選出
■選考方法:
半導体産業新聞の記者による投票で受賞者を選定
■発表方法:
2012年6月6日(水)発行の半導体産業新聞紙面にて発表
■賞:
(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
(3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点 および 優秀賞を選出
■主催:
半導体産業新聞(産業タイムズ社)
〒101-0032 東京都千代田岩本町1-10-5 TMMビル3階
TEL:03-5835-5896 FAX:03-5835-5496
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